形成优质Si＋注入SI-GaAs层的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李国辉 ; 韩德俊 ; 陈如意 ; 姬成周 ; 王策寰 ; 夏德谦 ; 朱红清 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1994 |
| 卷号 | 15期号:1页码:40 |
| 中文摘要 | 在GaAs集成电路研制中需要高电激活率、高迁率的n型薄层。该文研究了Si~+注入GaAs形成的n型层光电特性与材料参量、注入和退火条件的关系。结果表明材料生长中的杂质污染和缺陷对注入层电特性有直接影响。材料或退火过程中As和Ga的原子比[As]/[Ga]稍大时,注入层中电激活率和迁移率都高。实验还证明,~(29)Si~+注入时BF~+束流的影响会使注入层电激活率和迁移率下降。指出注入时剂量不宜过大,白光快速退火时温度不宜过高,一般在960℃ 5秒退火为佳。 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20035]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李国辉,韩德俊,陈如意,等. 形成优质Si＋注入SI-GaAs层的研究[J]. 半导体学报,1994,15(1):40. |
| APA | 李国辉.,韩德俊.,陈如意.,姬成周.,王策寰.,...&朱红清.(1994).形成优质Si＋注入SI-GaAs层的研究.半导体学报,15(1),40. |
| MLA | 李国辉,et al."形成优质Si＋注入SI-GaAs层的研究".半导体学报 15.1(1994):40. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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