用MOCVD在非平面衬底上生长的量子阱、量子线及其光学性质
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈良惠
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1994 |
| 卷号 | 15期号:4页码:289 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20037]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈良惠. 用MOCVD在非平面衬底上生长的量子阱、量子线及其光学性质[J]. 半导体学报,1994,15(4):289. |
| APA | 陈良惠.(1994).用MOCVD在非平面衬底上生长的量子阱、量子线及其光学性质.半导体学报,15(4),289. |
| MLA | 陈良惠."用MOCVD在非平面衬底上生长的量子阱、量子线及其光学性质".半导体学报 15.4(1994):289. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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