单片集成式反应离子刻蚀沟槽耦合腔AlGaAs/GaAs激光器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张石桥 ; 谭叔明 ; 庄婉如 ; 杨培生 ; 陈季英 |
| 刊名 | 中国激光
 |
| 出版日期 | 1993 |
| 卷号 | 20期号:3页码:161 |
| 英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:14:53导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:14:53Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6128.pdf: 2303580 bytes, checksum: e8313c0c5ac724e5432fc1a30360e4a3 (MD5) Previous issue date: 1993; 太原工业大学;北方交通大学;中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体器件 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20043]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张石桥,谭叔明,庄婉如,等. 单片集成式反应离子刻蚀沟槽耦合腔AlGaAs/GaAs激光器[J]. 中国激光,1993,20(3):161. |
| APA | 张石桥,谭叔明,庄婉如,杨培生,&陈季英.(1993).单片集成式反应离子刻蚀沟槽耦合腔AlGaAs/GaAs激光器.中国激光,20(3),161. |
| MLA | 张石桥,et al."单片集成式反应离子刻蚀沟槽耦合腔AlGaAs/GaAs激光器".中国激光 20.3(1993):161. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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