多孔硅层晶格畸变的X射线双晶衍射研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 何贤昶 ; 吴自勤 ; 赵特秀 ; 吕智慧 ; 王晓平 ; 孙国喜 |
| 刊名 | 物理学报
 |
| 出版日期 | 1993 |
| 卷号 | 42期号:6页码:954 |
| 中文摘要 | 利用X射线双晶衍射方法, 对从同一Si(Ⅲ)基片下切割的两块样品, 在不同电解电流密度下, 腐蚀形成的多孔硅层相对于基体硅的晶格畸变进行了分析。这两块样品晶格的畸变明显不同, 其中电流密度较小的样品畸变较大, 其多孔硅层相对于基体硅在垂直和平行于晶体表面的方向上, 晶格有不同程度的膨胀, 搁置一段时间后, 两者晶格渐渐匹配, 但存在着弯曲。两者的(Ⅲ)晶面取向亦有偏差。电流密度较大时多孔硅层较厚, 其双晶反射强度很低, 且弥散地迭加在基体硅反射峰上。 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20053]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 何贤昶,吴自勤,赵特秀,等. 多孔硅层晶格畸变的X射线双晶衍射研究[J]. 物理学报,1993,42(6):954. |
| APA | 何贤昶,吴自勤,赵特秀,吕智慧,王晓平,&孙国喜.(1993).多孔硅层晶格畸变的X射线双晶衍射研究.物理学报,42(6),954. |
| MLA | 何贤昶,et al."多孔硅层晶格畸变的X射线双晶衍射研究".物理学报 42.6(1993):954. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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