MOCVD生长的平面型InGaAs/InP PIN光电探测器件
文献类型：期刊论文
| 作者 | 杨志鸿 ; 王树堂 ; 曾靖 ; 朱龙德 ; 孙捷 ; 夏彩虹 ; 沈戎 ; 归强 |
| 刊名 | 红外与毫米波学报
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| 出版日期 | 1993 |
| 卷号 | 12期号:2页码:155 |
| 中文摘要 | 讨论了采了MOCVD技术生长的平面型InGaAs／InP PIN器件的光学特性及制备工艺。通过引入InP窗口层并制备合适的抗反射膜, 提高了器件的量子效率, 达到～90％, 采用平面型结构有可能改善器件的稳定性和可靠性。图3参5 |
| 英文摘要 | 讨论了采了MOCVD技术生长的平面型InGaAs／InP PIN器件的光学特性及制备工艺。通过引入InP窗口层并制备合适的抗反射膜, 提高了器件的量子效率, 达到～90％, 采用平面型结构有可能改善器件的稳定性和可靠性。图3参5; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:14:58导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:14:58Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6142.pdf: 92375 bytes, checksum: fcc4987840f3aa30e86f0c26b7150b9d (MD5) Previous issue date: 1993; 中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体器件 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20071]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨志鸿,王树堂,曾靖,等. MOCVD生长的平面型InGaAs/InP PIN光电探测器件[J]. 红外与毫米波学报,1993,12(2):155. |
| APA | 杨志鸿.,王树堂.,曾靖.,朱龙德.,孙捷.,...&归强.(1993).MOCVD生长的平面型InGaAs/InP PIN光电探测器件.红外与毫米波学报,12(2),155. |
| MLA | 杨志鸿,et al."MOCVD生长的平面型InGaAs/InP PIN光电探测器件".红外与毫米波学报 12.2(1993):155. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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