P-InP MIS结构界面陷阱的深能级研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 卢励吾 ; 周洁 ; 瞿伟 ; 张盛廉 |
| 刊名 | 电子学报
 |
| 出版日期 | 1993 |
| 卷号 | 21期号:11页码:72 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20079]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 卢励吾,周洁,瞿伟,等. P-InP MIS结构界面陷阱的深能级研究[J]. 电子学报,1993,21(11):72. |
| APA | 卢励吾,周洁,瞿伟,&张盛廉.(1993).P-InP MIS结构界面陷阱的深能级研究.电子学报,21(11),72. |
| MLA | 卢励吾,et al."P-InP MIS结构界面陷阱的深能级研究".电子学报 21.11(1993):72. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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