Zn-dopant dependent defect evolution in GaN nanowires
文献类型：期刊论文
| 作者 | Yang, Bing ; Liu, Baodan ; Wang, Yujia ; Zhuang, Hao ; Lju, Qingyun ; Yuan, Fang ; Jiang, Xin |
| 刊名 | NANOSCALE
 |
| 出版日期 | 2015 |
| 卷号 | 7期号:39页码:16237-16245 |
| ISSN号 | 2040-3364 |
| 通讯作者 | xijiang@imr.ac.cn |
| 收录类别 | SCI |
| 资助信息 | National Nature Science Foundation of China [51402309]; Knowledge Innovation Program of Institute of Metal Research (IMR); Chinese Academy of Science (CAS) [Y2NCA111A1, Y3NCA111A1]; Youth Innovation Promotion Association, Chinese Academy of Sciences [Y4NC711171] |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2016-04-21 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/75247]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Yang, Bing,Liu, Baodan,Wang, Yujia,et al. Zn-dopant dependent defect evolution in GaN nanowires[J]. NANOSCALE,2015,7(39):16237-16245. |
| APA | Yang, Bing.,Liu, Baodan.,Wang, Yujia.,Zhuang, Hao.,Lju, Qingyun.,...&Jiang, Xin.(2015).Zn-dopant dependent defect evolution in GaN nanowires.NANOSCALE,7(39),16237-16245. |
| MLA | Yang, Bing,et al."Zn-dopant dependent defect evolution in GaN nanowires".NANOSCALE 7.39(2015):16237-16245. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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