P在IN706合金中的晶界偏聚与析出规律
文献类型：会议论文
| 作者 | 章莎 ; 信昕 ; 孙文儒 ; 孙晓峰 |
| 出版日期 | 2015-05-20 |
| 关键词 | IN706 匀化 析出规律 真空感应炉熔炼 温度范围 原子态 重熔 均匀化处理 SIMS 实验条件 |
| 中文摘要 | 研究了P含量为0.002~40.025%(质量分数)的6种IN706合金均匀化组织中P的晶界偏聚及析出规律。结果表明:合金经1190℃均匀化后,P偏聚于晶界,合金中不析出含P相;在7200~1080℃保温5h保温后,含P相在0.010%P及以上P含量合金的晶界析出,其析出温度范围为850~1010℃,析出峰温度为98℃。此外,运用TEM确定了含P相的结构。 |
| 会议录 | 第十三届中国高温合金年会摘要文集
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| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/74543]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 章莎,信昕,孙文儒,等. P在IN706合金中的晶界偏聚与析出规律[C]. 见:. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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