GaAs/Ga(0.7)Al(0.3)超晶格中场致激子峰展宽机制的研究
文献类型:期刊论文
作者 | 张耀辉 ; 汪德生 ; 李锋 ; 吴荣汉 ; 周均铭 ; 梅笑冰 |
刊名 | 半导体学报
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出版日期 | 1993 |
卷号 | 14期号:10页码:652 |
英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:15:02导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:15:02Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6155.pdf: 164875 bytes, checksum: a1d515d752a0f12221f20ee98beba80b (MD5) Previous issue date: 1993; 国家自然科学基金; 中科院半导体所;中科院物理所 |
学科主题 | 半导体物理 |
收录类别 | CSCD |
资助信息 | 国家自然科学基金 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20097] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张耀辉,汪德生,李锋,等. GaAs/Ga(0.7)Al(0.3)超晶格中场致激子峰展宽机制的研究[J]. 半导体学报,1993,14(10):652. |
APA | 张耀辉,汪德生,李锋,吴荣汉,周均铭,&梅笑冰.(1993).GaAs/Ga(0.7)Al(0.3)超晶格中场致激子峰展宽机制的研究.半导体学报,14(10),652. |
MLA | 张耀辉,et al."GaAs/Ga(0.7)Al(0.3)超晶格中场致激子峰展宽机制的研究".半导体学报 14.10(1993):652. |
入库方式: OAI收割
来源:半导体研究所
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