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GaAs/Ga(0.7)Al(0.3)超晶格中场致激子峰展宽机制的研究

文献类型:期刊论文

作者张耀辉 ; 汪德生 ; 李锋 ; 吴荣汉 ; 周均铭 ; 梅笑冰
刊名半导体学报
出版日期1993
卷号14期号:10页码:652
英文摘要于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:15:02导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:15:02Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6155.pdf: 164875 bytes, checksum: a1d515d752a0f12221f20ee98beba80b (MD5) Previous issue date: 1993; 国家自然科学基金; 中科院半导体所;中科院物理所
学科主题半导体物理
收录类别CSCD
资助信息国家自然科学基金
语种中文
公开日期2010-11-23 ; 2011-04-29
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20097]  
专题半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
张耀辉,汪德生,李锋,等. GaAs/Ga(0.7)Al(0.3)超晶格中场致激子峰展宽机制的研究[J]. 半导体学报,1993,14(10):652.
APA 张耀辉,汪德生,李锋,吴荣汉,周均铭,&梅笑冰.(1993).GaAs/Ga(0.7)Al(0.3)超晶格中场致激子峰展宽机制的研究.半导体学报,14(10),652.
MLA 张耀辉,et al."GaAs/Ga(0.7)Al(0.3)超晶格中场致激子峰展宽机制的研究".半导体学报 14.10(1993):652.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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