GaAs/Ga（0.7）Al（0.3）As短周期超晶格中的自电光双稳和多稳态效应
文献类型：期刊论文
| 作者 | 江德生
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1993 |
| 卷号 | 14期号:4页码:251 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20101]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 江德生. GaAs/Ga（0.7）Al（0.3）As短周期超晶格中的自电光双稳和多稳态效应[J]. 半导体学报,1993,14(4):251. |
| APA | 江德生.(1993).GaAs/Ga（0.7）Al（0.3）As短周期超晶格中的自电光双稳和多稳态效应.半导体学报,14(4),251. |
| MLA | 江德生."GaAs/Ga（0.7）Al（0.3）As短周期超晶格中的自电光双稳和多稳态效应".半导体学报 14.4(1993):251. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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