InxGa（1-a）As的俄歇电子谱定量分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈维德 ; 陈宗圭 ; 崔玉德 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1993 |
| 卷号 | 14期号:7页码:410 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20109]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈维德,陈宗圭,崔玉德. InxGa（1-a）As的俄歇电子谱定量分析[J]. 半导体学报,1993,14(7):410. |
| APA | 陈维德,陈宗圭,&崔玉德.(1993).InxGa（1-a）As的俄歇电子谱定量分析.半导体学报,14(7),410. |
| MLA | 陈维德,et al."InxGa（1-a）As的俄歇电子谱定量分析".半导体学报 14.7(1993):410. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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