质量分离低能离子束外延超薄硅单晶的初步研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 黄大定 ; 姚振钰 ; 任治璋 ; 王向明 ; 刘志凯 ; 秦复光 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1993 |
| 卷号 | 14期号:8页码:509 |
| 英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:15:18导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:15:18Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6181.pdf: 115627 bytes, checksum: e7170262cf1d3e5effee99c6a3de3056 (MD5) Previous issue date: 1993; 中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20149]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄大定,姚振钰,任治璋,等. 质量分离低能离子束外延超薄硅单晶的初步研究[J]. 半导体学报,1993,14(8):509. |
| APA | 黄大定,姚振钰,任治璋,王向明,刘志凯,&秦复光.(1993).质量分离低能离子束外延超薄硅单晶的初步研究.半导体学报,14(8),509. |
| MLA | 黄大定,et al."质量分离低能离子束外延超薄硅单晶的初步研究".半导体学报 14.8(1993):509. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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