硅化物薄膜的质子弹性散射分析
文献类型:期刊论文
作者 | 朱沛然 ; 江伟林 ; 徐天冰 ; 殷士端 |
刊名 | 物理学报
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出版日期 | 1992 |
卷号 | 41期号:12页码:2049 |
英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:15:22导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:15:22Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6193.pdf: 281953 bytes, checksum: 5d4cea649a5d573f25c3df29e9589b1b (MD5) Previous issue date: 1992; 中科院物理所;中科院半导体所 |
学科主题 | 半导体材料 |
收录类别 | CSCD |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20171] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱沛然,江伟林,徐天冰,等. 硅化物薄膜的质子弹性散射分析[J]. 物理学报,1992,41(12):2049. |
APA | 朱沛然,江伟林,徐天冰,&殷士端.(1992).硅化物薄膜的质子弹性散射分析.物理学报,41(12),2049. |
MLA | 朱沛然,et al."硅化物薄膜的质子弹性散射分析".物理学报 41.12(1992):2049. |
入库方式: OAI收割
来源:半导体研究所
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