P2S5/NH4OH处理GaAs（100）表面的电子能谱研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 钟战天 ; 罗文哲 ; 牟善明 ; 张开颜 ; 李侠 ; 李承芳 |
| 刊名 | 物理学报
 |
| 出版日期 | 1992 |
| 卷号 | 41期号:4页码:683 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20175]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 钟战天,罗文哲,牟善明,等. P2S5/NH4OH处理GaAs（100）表面的电子能谱研究[J]. 物理学报,1992,41(4):683. |
| APA | 钟战天,罗文哲,牟善明,张开颜,李侠,&李承芳.(1992).P2S5/NH4OH处理GaAs（100）表面的电子能谱研究.物理学报,41(4),683. |
| MLA | 钟战天,et al."P2S5/NH4OH处理GaAs（100）表面的电子能谱研究".物理学报 41.4(1992):683. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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