BF＋对（29）Si＋注入GaAs层的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李国辉 ; 韩德俊 ; 陈如意 ; 罗晏 ; 刘伊犁 ; 姬成周 ; 宋红清 ; 王策寰 |
| 刊名 | 北京师范大学学报. 自然科学版
 |
| 出版日期 | 1992 |
| 卷号 | 28期号:4页码:478 |
| 英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:15:30导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:15:30Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6210.pdf: 131181 bytes, checksum: 90004830703ebfde604364387f89b0ef (MD5) Previous issue date: 1992; 国家自然科学基金; 北京师范大学;中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20205]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李国辉,韩德俊,陈如意,等. BF＋对（29）Si＋注入GaAs层的影响[J]. 北京师范大学学报. 自然科学版,1992,28(4):478. |
| APA | 李国辉.,韩德俊.,陈如意.,罗晏.,刘伊犁.,...&王策寰.(1992).BF＋对（29）Si＋注入GaAs层的影响.北京师范大学学报. 自然科学版,28(4),478. |
| MLA | 李国辉,et al."BF＋对（29）Si＋注入GaAs层的影响".北京师范大学学报. 自然科学版 28.4(1992):478. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。