MOVPE生长不掺杂薄GaAs层线偏振光吸收系数和折射率的电流感生变化
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王德煌 ; 王威礼 ; 李桂棠 ; 段树坤 |
| 刊名 | 北京大学学报. 自然科学版
 |
| 出版日期 | 1992 |
| 卷号 | 28期号:1页码:96 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20207]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王德煌,王威礼,李桂棠,等. MOVPE生长不掺杂薄GaAs层线偏振光吸收系数和折射率的电流感生变化[J]. 北京大学学报. 自然科学版,1992,28(1):96. |
| APA | 王德煌,王威礼,李桂棠,&段树坤.(1992).MOVPE生长不掺杂薄GaAs层线偏振光吸收系数和折射率的电流感生变化.北京大学学报. 自然科学版,28(1),96. |
| MLA | 王德煌,et al."MOVPE生长不掺杂薄GaAs层线偏振光吸收系数和折射率的电流感生变化".北京大学学报. 自然科学版 28.1(1992):96. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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