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GaAs/GaAlAs量子阱在电场作用下光电流谱的研究

文献类型:期刊论文

作者江德生
刊名半导体学报
出版日期1992
卷号13期号:6页码:333
学科主题光电子学
收录类别CSCD
语种中文
公开日期2010-11-23
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20233]  
专题半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
江德生. GaAs/GaAlAs量子阱在电场作用下光电流谱的研究[J]. 半导体学报,1992,13(6):333.
APA 江德生.(1992).GaAs/GaAlAs量子阱在电场作用下光电流谱的研究.半导体学报,13(6),333.
MLA 江德生."GaAs/GaAlAs量子阱在电场作用下光电流谱的研究".半导体学报 13.6(1992):333.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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