GaAlAs/GaAs多量子阱激光器结构设计
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈良惠
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1992 |
| 卷号 | 13期号:8页码:463 |
| 英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:15:40导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:15:41Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6232.pdf: 154608 bytes, checksum: 0541f65d8d535bc25053d8037952ca84 (MD5) Previous issue date: 1992; 中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体器件 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20249]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈良惠. GaAlAs/GaAs多量子阱激光器结构设计[J]. 半导体学报,1992,13(8):463. |
| APA | 陈良惠.(1992).GaAlAs/GaAs多量子阱激光器结构设计.半导体学报,13(8),463. |
| MLA | 陈良惠."GaAlAs/GaAs多量子阱激光器结构设计".半导体学报 13.8(1992):463. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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