用质量分离的低能离子束外延法生长β-FeSi2半导体外延膜的初步研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 姚振钰 ; 任治璋 ; 王向明 ; 刘志凯 ; 黄大定 ; 秦复光 ; 林兰英 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1992 |
| 卷号 | 13期号:8页码:518 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20253]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 姚振钰,任治璋,王向明,等. 用质量分离的低能离子束外延法生长β-FeSi2半导体外延膜的初步研究[J]. 半导体学报,1992,13(8):518. |
| APA | 姚振钰.,任治璋.,王向明.,刘志凯.,黄大定.,...&林兰英.(1992).用质量分离的低能离子束外延法生长β-FeSi2半导体外延膜的初步研究.半导体学报,13(8),518. |
| MLA | 姚振钰,et al."用质量分离的低能离子束外延法生长β-FeSi2半导体外延膜的初步研究".半导体学报 13.8(1992):518. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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