Light induced rapid thermal diffusion of boron atom in silicon
文献类型：期刊论文
| 作者 | Shi Wanquan ; Hou Qingrun ; Liu Xuejun ; Liu Shixiang ; Fu Zhengqing ; Lu Liwn ; Li Yuanjing |
| 刊名 | chinese physics letters
 |
| 出版日期 | 1992 |
| 卷号 | 9期号:9页码:375 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20263]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Shi Wanquan,Hou Qingrun,Liu Xuejun,et al. Light induced rapid thermal diffusion of boron atom in silicon[J]. chinese physics letters,1992,9(9):375. |
| APA | Shi Wanquan.,Hou Qingrun.,Liu Xuejun.,Liu Shixiang.,Fu Zhengqing.,...&Li Yuanjing.(1992).Light induced rapid thermal diffusion of boron atom in silicon.chinese physics letters,9(9),375. |
| MLA | Shi Wanquan,et al."Light induced rapid thermal diffusion of boron atom in silicon".chinese physics letters 9.9(1992):375. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。