一种新的非均匀减薄法-选择阳极氧化法
文献类型：期刊论文
| 作者 | 高凤升 ; 龚秀英 ; 葛永才 |
| 刊名 | 电子科学学刊
 |
| 出版日期 | 1991 |
| 卷号 | 13期号:2页码:221 |
| 英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:15:53导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:15:53Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6257.pdf: 99262 bytes, checksum: d643711e0262c43c88e53bd1167d3ec0 (MD5) Previous issue date: 1991; 中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体化学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20299]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高凤升,龚秀英,葛永才. 一种新的非均匀减薄法-选择阳极氧化法[J]. 电子科学学刊,1991,13(2):221. |
| APA | 高凤升,龚秀英,&葛永才.(1991).一种新的非均匀减薄法-选择阳极氧化法.电子科学学刊,13(2),221. |
| MLA | 高凤升,et al."一种新的非均匀减薄法-选择阳极氧化法".电子科学学刊 13.2(1991):221. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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