LPCVD氮化硅膜中的氢含量及其对pH-ISFET敏感特性的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈克铭 ; 李国花 ; 吕惠云 ; 陈朗星 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1991 |
| 卷号 | 12期号:12页码:721 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20313]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈克铭,李国花,吕惠云,等. LPCVD氮化硅膜中的氢含量及其对pH-ISFET敏感特性的影响[J]. 半导体学报,1991,12(12):721. |
| APA | 陈克铭,李国花,吕惠云,&陈朗星.(1991).LPCVD氮化硅膜中的氢含量及其对pH-ISFET敏感特性的影响.半导体学报,12(12),721. |
| MLA | 陈克铭,et al."LPCVD氮化硅膜中的氢含量及其对pH-ISFET敏感特性的影响".半导体学报 12.12(1991):721. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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