nμc-Si:H/SiOx/Ag隧道背面拉触对a-Si:H太阳能电池性能的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李海峰 ; 熊华 ; 刁宏伟 ; 郑怀德 ; 廖显伯 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1991 |
| 卷号 | 12期号:11页码:705 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20315]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李海峰,熊华,刁宏伟,等. nμc-Si:H/SiOx/Ag隧道背面拉触对a-Si:H太阳能电池性能的影响[J]. 半导体学报,1991,12(11):705. |
| APA | 李海峰,熊华,刁宏伟,郑怀德,&廖显伯.(1991).nμc-Si:H/SiOx/Ag隧道背面拉触对a-Si:H太阳能电池性能的影响.半导体学报,12(11),705. |
| MLA | 李海峰,et al."nμc-Si:H/SiOx/Ag隧道背面拉触对a-Si:H太阳能电池性能的影响".半导体学报 12.11(1991):705. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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