LP-MOVPE Ga（1-x） InxAs/InP量子阱结构材料
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王玉田 ; 江德生
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1991 |
| 卷号 | 12期号:9页码:578 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20353]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王玉田,江德生. LP-MOVPE Ga（1-x） InxAs/InP量子阱结构材料[J]. 半导体学报,1991,12(9):578. |
| APA | 王玉田,&江德生.(1991).LP-MOVPE Ga（1-x） InxAs/InP量子阱结构材料.半导体学报,12(9),578. |
| MLA | 王玉田,et al."LP-MOVPE Ga（1-x） InxAs/InP量子阱结构材料".半导体学报 12.9(1991):578. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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