Pd/c-Si界面反应研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 沈波 ; 方一生 ; 赵特秀 ; 许振嘉 |
| 刊名 | 中国科学技术大学学报
 |
| 出版日期 | 1990 |
| 卷号 | 20期号:2页码:143 |
| 英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:16:06导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:16:06Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6291.pdf: 140980 bytes, checksum: 2e2c347b68b5c2979bda2fd3547cfddb (MD5) Previous issue date: 1990; 其它基金; 中国科学技术大学;中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 其它基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20355]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 沈波,方一生,赵特秀,等. Pd/c-Si界面反应研究[J]. 中国科学技术大学学报,1990,20(2):143. |
| APA | 沈波,方一生,赵特秀,&许振嘉.(1990).Pd/c-Si界面反应研究.中国科学技术大学学报,20(2),143. |
| MLA | 沈波,et al."Pd/c-Si界面反应研究".中国科学技术大学学报 20.2(1990):143. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。