GaAs/GaAlAs单量子阱电光吸收和光调制
文献类型：期刊论文
| 作者 | 朱龙德 ; 熊飞克 ; 王启明 ; 陈正豪 ; 谢苑林 ; 顾世杰 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1990 |
| 卷号 | 11期号:3页码:202 |
| 英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:16:25导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:16:25Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6321.pdf: 249015 bytes, checksum: da1ee17b505d99cc0c9d1e41a5109eda (MD5) Previous issue date: 1990; 中科院半导体所;中科院物理所 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20415]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱龙德,熊飞克,王启明,等. GaAs/GaAlAs单量子阱电光吸收和光调制[J]. 半导体学报,1990,11(3):202. |
| APA | 朱龙德,熊飞克,王启明,陈正豪,谢苑林,&顾世杰.(1990).GaAs/GaAlAs单量子阱电光吸收和光调制.半导体学报,11(3),202. |
| MLA | 朱龙德,et al."GaAs/GaAlAs单量子阱电光吸收和光调制".半导体学报 11.3(1990):202. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。