等电子杂质Sb对InP中缺陷的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 叶式中 ; 杨保华 ; 徐岭 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1990 |
| 卷号 | 11期号:4页码:253 |
| 英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:16:26导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:16:26Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6324.pdf: 145048 bytes, checksum: f3d60a8d87acb6a965d88a69b77ca9bb (MD5) Previous issue date: 1990; 国家自然科学基金; 中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20421]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 叶式中,杨保华,徐岭. 等电子杂质Sb对InP中缺陷的影响[J]. 半导体学报,1990,11(4):253. |
| APA | 叶式中,杨保华,&徐岭.(1990).等电子杂质Sb对InP中缺陷的影响.半导体学报,11(4),253. |
| MLA | 叶式中,et al."等电子杂质Sb对InP中缺陷的影响".半导体学报 11.4(1990):253. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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