用SF6—N2混合气的反应离子刻蚀制作WSix微米结构
文献类型：期刊论文
| 作者 | 程美乔 ; 傅绍云 ; 李建中 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1990 |
| 卷号 | 11期号:5页码:355 |
| 英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:16:27导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:16:27Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6327.pdf: 1355604 bytes, checksum: abb888db4c0d0e22c3ffab4b978aebaa (MD5) Previous issue date: 1990; 中科院半导体所 |
| 学科主题 | 微电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20427]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 程美乔,傅绍云,李建中. 用SF6—N2混合气的反应离子刻蚀制作WSix微米结构[J]. 半导体学报,1990,11(5):355. |
| APA | 程美乔,傅绍云,&李建中.(1990).用SF6—N2混合气的反应离子刻蚀制作WSix微米结构.半导体学报,11(5),355. |
| MLA | 程美乔,et al."用SF6—N2混合气的反应离子刻蚀制作WSix微米结构".半导体学报 11.5(1990):355. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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