不对称双势垒结构中的非世振磁隧穿现象
文献类型：期刊论文
| 作者 | 杨富华 ; 郑厚植 ; 陈宗圭 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1990 |
| 卷号 | 11期号:8页码:565 |
| 英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:16:32导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:16:32Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6342.pdf: 172743 bytes, checksum: 175304b9a35f77aea337a7aa280bb466 (MD5) Previous issue date: 1990; 国家自然科学基金; 中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20457]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨富华,郑厚植,陈宗圭. 不对称双势垒结构中的非世振磁隧穿现象[J]. 半导体学报,1990,11(8):565. |
| APA | 杨富华,郑厚植,&陈宗圭.(1990).不对称双势垒结构中的非世振磁隧穿现象.半导体学报,11(8),565. |
| MLA | 杨富华,et al."不对称双势垒结构中的非世振磁隧穿现象".半导体学报 11.8(1990):565. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。