Er~+注入单晶硅中非晶层晶化过程的TEM研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 严勇 ; 王培大 ; 胡梅生 ; 孙慧龄 ; 李齐 ; 冯端 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1990 |
| 卷号 | 11期号:7页码:561 |
| 英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:16:32导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:16:32Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6343.pdf: 110824 bytes, checksum: 4b2224c37060cb9262682e7c0f984bea (MD5) Previous issue date: 1990; 南京大学;中科院半导体所;中科院微电子中心 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20459]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 严勇,王培大,胡梅生,等. Er~+注入单晶硅中非晶层晶化过程的TEM研究[J]. 半导体学报,1990,11(7):561. |
| APA | 严勇,王培大,胡梅生,孙慧龄,李齐,&冯端.(1990).Er~+注入单晶硅中非晶层晶化过程的TEM研究.半导体学报,11(7),561. |
| MLA | 严勇,et al."Er~+注入单晶硅中非晶层晶化过程的TEM研究".半导体学报 11.7(1990):561. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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