La,Ce及Nd稀土金属硅化物的生成
文献类型：期刊论文
| 作者 | 牟善明 ; 王佑祥 ; 殷士端 ; 张敬平 ; 刘家瑞 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1990 |
| 卷号 | 11期号:7页码:533 |
| 英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:16:33导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:16:33Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6345.pdf: 177952 bytes, checksum: 03f7634cbb307757b3bf4500f6f13121 (MD5) Previous issue date: 1990; 国家自然科学基金; 中科院半导体所;中科院物理所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20463]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 牟善明,王佑祥,殷士端,等. La,Ce及Nd稀土金属硅化物的生成[J]. 半导体学报,1990,11(7):533. |
| APA | 牟善明,王佑祥,殷士端,张敬平,&刘家瑞.(1990).La,Ce及Nd稀土金属硅化物的生成.半导体学报,11(7),533. |
| MLA | 牟善明,et al."La,Ce及Nd稀土金属硅化物的生成".半导体学报 11.7(1990):533. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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