GaAs/GaAlAs半导体淬灭型双稳现象的实验研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王守武 ; 刘文旭 ; 杨朴 ; 吴荣汉 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1990 |
| 卷号 | 11期号:9页码:724 |
| 英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:16:34导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:16:34Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6349.pdf: 86550 bytes, checksum: b5596328db19bbad07e6a689cbb0f78b (MD5) Previous issue date: 1990; 中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20471]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王守武,刘文旭,杨朴,等. GaAs/GaAlAs半导体淬灭型双稳现象的实验研究[J]. 半导体学报,1990,11(9):724. |
| APA | 王守武,刘文旭,杨朴,&吴荣汉.(1990).GaAs/GaAlAs半导体淬灭型双稳现象的实验研究.半导体学报,11(9),724. |
| MLA | 王守武,et al."GaAs/GaAlAs半导体淬灭型双稳现象的实验研究".半导体学报 11.9(1990):724. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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