液相外延生长In_xGa_(1-x)As_ySb_(1-y)/GaSb及其性质研究
文献类型:期刊论文
作者 | 刘学锋 ; 龚秀英 ; 王占国 |
刊名 | 半导体学报 |
出版日期 | 1990 |
卷号 | 11期号:10页码:746 |
英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:16:36导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:16:36Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6357.pdf: 129242 bytes, checksum: 827134169bccd9a39745e5443c2dd3eb (MD5) Previous issue date: 1990; 其它基金; 中科院半导体所 |
学科主题 | 半导体材料 |
资助信息 | 其它基金 |
收录类别 | CSCD |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20487] |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘学锋,龚秀英,王占国. 液相外延生长In_xGa_(1-x)As_ySb_(1-y)/GaSb及其性质研究[J]. 半导体学报,1990,11(10):746. |
APA | 刘学锋,龚秀英,&王占国.(1990).液相外延生长In_xGa_(1-x)As_ySb_(1-y)/GaSb及其性质研究.半导体学报,11(10),746. |
MLA | 刘学锋,et al."液相外延生长In_xGa_(1-x)As_ySb_(1-y)/GaSb及其性质研究".半导体学报 11.10(1990):746. |
入库方式: OAI收割
来源:半导体研究所
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