离子注入及退火对GaAs/Si晶体完整性影响的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 肖光明 ; 殷士端 ; 张敬平 ; 范缇文 ; 刘家瑞 ; 丁爱菊 ; 周钧铭 ; 朱沛然 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1990 |
| 卷号 | 11期号:11页码:866 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20491]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 肖光明,殷士端,张敬平,等. 离子注入及退火对GaAs/Si晶体完整性影响的研究[J]. 半导体学报,1990,11(11):866. |
| APA | 肖光明.,殷士端.,张敬平.,范缇文.,刘家瑞.,...&朱沛然.(1990).离子注入及退火对GaAs/Si晶体完整性影响的研究.半导体学报,11(11),866. |
| MLA | 肖光明,et al."离子注入及退火对GaAs/Si晶体完整性影响的研究".半导体学报 11.11(1990):866. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。