低漏电高增益InGaAs/InP SAGM雪崩光电二极管
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王树堂 ; 曾靖 ; 李锋 ; 胡春阳 ; 夏彩虹 ; 孙捷 ; 樊爱香 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1990 |
| 卷号 | 11期号:12页码:958 |
| 学科主题 | 半导体器件 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20511]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王树堂,曾靖,李锋,等. 低漏电高增益InGaAs/InP SAGM雪崩光电二极管[J]. 半导体学报,1990,11(12):958. |
| APA | 王树堂.,曾靖.,李锋.,胡春阳.,夏彩虹.,...&樊爱香.(1990).低漏电高增益InGaAs/InP SAGM雪崩光电二极管.半导体学报,11(12),958. |
| MLA | 王树堂,et al."低漏电高增益InGaAs/InP SAGM雪崩光电二极管".半导体学报 11.12(1990):958. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。