一种优良的抗辐射高压NMOS/SOS驱动器件
文献类型：期刊论文
| 作者 | 于芳
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| 刊名 | 微电子学与计算机
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| 出版日期 | 1989 |
| 卷号 | 6期号:12页码:32 |
| 英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:16:45导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:16:45Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6379.pdf: 102034 bytes, checksum: ce64a151652c457ff2d85a6d787c35ae (MD5) Previous issue date: 1989; 中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体器件 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20527]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 于芳. 一种优良的抗辐射高压NMOS/SOS驱动器件[J]. 微电子学与计算机,1989,6(12):32. |
| APA | 于芳.(1989).一种优良的抗辐射高压NMOS/SOS驱动器件.微电子学与计算机,6(12),32. |
| MLA | 于芳."一种优良的抗辐射高压NMOS/SOS驱动器件".微电子学与计算机 6.12(1989):32. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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