MBE[（AlxGa（1-x）As）l（GaAs）m]n/GaAs（001）超晶格结构参数的X射线双晶衍射测量研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 姜力 ; 吴苍生 ; 王玉田 ; 高维宾 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1989 |
| 卷号 | 10期号:2页码:86 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20555]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 姜力,吴苍生,王玉田,等. MBE[（AlxGa（1-x）As）l（GaAs）m]n/GaAs（001）超晶格结构参数的X射线双晶衍射测量研究[J]. 半导体学报,1989,10(2):86. |
| APA | 姜力,吴苍生,王玉田,&高维宾.(1989).MBE[（AlxGa（1-x）As）l（GaAs）m]n/GaAs（001）超晶格结构参数的X射线双晶衍射测量研究.半导体学报,10(2),86. |
| MLA | 姜力,et al."MBE[（AlxGa（1-x）As）l（GaAs）m]n/GaAs（001）超晶格结构参数的X射线双晶衍射测量研究".半导体学报 10.2(1989):86. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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