Au、Al/a-Si:H热退火行为研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 金澍 ; 刘洪图 ; 赵特秀 ; 吴志强 ; 沈波 ; 许振嘉 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1989 |
| 卷号 | 10期号:3页码:186 |
| 英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:16:56导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:16:56Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6404.pdf: 1543353 bytes, checksum: c3290b6b1d7e47ec880836f7fe169b21 (MD5) Previous issue date: 1989; 中国科学技术大学;中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20577]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 金澍,刘洪图,赵特秀,等. Au、Al/a-Si:H热退火行为研究[J]. 半导体学报,1989,10(3):186. |
| APA | 金澍,刘洪图,赵特秀,吴志强,沈波,&许振嘉.(1989).Au、Al/a-Si:H热退火行为研究.半导体学报,10(3),186. |
| MLA | 金澍,et al."Au、Al/a-Si:H热退火行为研究".半导体学报 10.3(1989):186. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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