单晶硅中磷离子注入缺陷的HREM研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 严勇 ; 李齐 ; 冯端 ; 孙慧龄 ; 王培大 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1989 |
| 卷号 | 10期号:4页码:276 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20581]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 严勇,李齐,冯端,等. 单晶硅中磷离子注入缺陷的HREM研究[J]. 半导体学报,1989,10(4):276. |
| APA | 严勇,李齐,冯端,孙慧龄,&王培大.(1989).单晶硅中磷离子注入缺陷的HREM研究.半导体学报,10(4),276. |
| MLA | 严勇,et al."单晶硅中磷离子注入缺陷的HREM研究".半导体学报 10.4(1989):276. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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