退火气氛中痕量氧在反应形成pt硅化物中的作用
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李映雪 ; 武国英 ; 张国炳 ; 王佑祥 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1989 |
| 卷号 | 10期号:8页码:615 |
| 英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:17:00导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:17:00Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6413.pdf: 1385740 bytes, checksum: befd47d85d35c50baaff155da981048c (MD5) Previous issue date: 1989; 北京大学;中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体化学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20595]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李映雪,武国英,张国炳,等. 退火气氛中痕量氧在反应形成pt硅化物中的作用[J]. 半导体学报,1989,10(8):615. |
| APA | 李映雪,武国英,张国炳,&王佑祥.(1989).退火气氛中痕量氧在反应形成pt硅化物中的作用.半导体学报,10(8),615. |
| MLA | 李映雪,et al."退火气氛中痕量氧在反应形成pt硅化物中的作用".半导体学报 10.8(1989):615. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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