硅衬底上GaAlAs/GaAs单量子阱激光器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 庄婉如 ; 石志文 ; 杨培生 ; 梅野正羲 ; 神保孝志 ; 曾我哲夫 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1989 |
| 卷号 | 10期号:12页码:960 |
| 学科主题 | 半导体器件 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20621]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 庄婉如,石志文,杨培生,等. 硅衬底上GaAlAs/GaAs单量子阱激光器[J]. 半导体学报,1989,10(12):960. |
| APA | 庄婉如,石志文,杨培生,梅野正羲,神保孝志,&曾我哲夫.(1989).硅衬底上GaAlAs/GaAs单量子阱激光器.半导体学报,10(12),960. |
| MLA | 庄婉如,et al."硅衬底上GaAlAs/GaAs单量子阱激光器".半导体学报 10.12(1989):960. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。