LEC GaAs中缺陷的光致发光研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈廷杰 ; 吴灵犀 ; 王占国 ; 何宏家 ; 林兰英 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1989 |
| 卷号 | 10期号:12页码:917 |
| 英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:17:08导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:17:08Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6430.pdf: 1895779 bytes, checksum: dd834f49685ad62fbbf4b9fcbd613c28 (MD5) Previous issue date: 1989; 国家自然科学基金; 中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20629]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈廷杰,吴灵犀,王占国,等. LEC GaAs中缺陷的光致发光研究[J]. 半导体学报,1989,10(12):917. |
| APA | 陈廷杰,吴灵犀,王占国,何宏家,&林兰英.(1989).LEC GaAs中缺陷的光致发光研究.半导体学报,10(12),917. |
| MLA | 陈廷杰,et al."LEC GaAs中缺陷的光致发光研究".半导体学报 10.12(1989):917. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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