Si（113）表面电子结构的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张瑞勤 ; 王家俭 ; 戴国才 ; 吴汲安 ; 张敬平 ; 邢益荣 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1989 |
| 卷号 | 10期号:9页码:645 |
| 英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:17:09导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:17:09Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6432.pdf: 2103137 bytes, checksum: f9e193dc19e414dcbd42f3bee2dd06cd (MD5) Previous issue date: 1989; 国家自然科学基金; 山东大学;中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20633]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张瑞勤,王家俭,戴国才,等. Si（113）表面电子结构的研究[J]. 半导体学报,1989,10(9):645. |
| APA | 张瑞勤,王家俭,戴国才,吴汲安,张敬平,&邢益荣.(1989).Si（113）表面电子结构的研究.半导体学报,10(9),645. |
| MLA | 张瑞勤,et al."Si（113）表面电子结构的研究".半导体学报 10.9(1989):645. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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