一种高性能硅片曝光场分布优化算法
文献类型：期刊论文
| 作者 | 何乐 ; 王向朝 |
| 刊名 | 光学学报
 |
| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 26期号:3页码:403 |
| 关键词 | 激光技术 光刻技术 曝光场分布 寻优算法 产率 良率 |
| ISSN号 | 0253-2239 |
| 其他题名 | High performance optimization algorithm for determining wafer exposure field layout |
| 中文摘要 | 以提高光刻机应用性能为目的，提出了一种高性能硅片曝光场分布优化算法。由芯片尺寸计算得到最佳曝光场尺寸，使其最接近于光刻机提供的曝光场最大尺寸，提高了曝光系统的利用率；引入曝光场交错分布，减少了硅片边缘曝光场的交叠，提高了光刻产率；建立产率优先和良率优先两种优化方案，实现了产率和良率的共优。以实际芯片产品的参量为例，将本算法用于曝光过程，采用产率优先标准，曝光场数量减少了10％，而内场数量基本不变，提高了光刻的产率也确保了良率；采用良率优先标准，内场数量增长了10％，总的场数也有所减少，提高了光刻良率的可靠 |
| 分类号 | TN305.7 |
| 收录类别 | ei |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2009-09-18 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/1942]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_信息光学开放实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 何乐,王向朝. 一种高性能硅片曝光场分布优化算法[J]. 光学学报,2006,26(3):403, 408. |
| APA | 何乐,&王向朝.(2006).一种高性能硅片曝光场分布优化算法.光学学报,26(3),403. |
| MLA | 何乐,et al."一种高性能硅片曝光场分布优化算法".光学学报 26.3(2006):403. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。