CCD的近红外敏化技术
文献类型：期刊论文
| 作者 | 宋谦; 季凯帆; 曹文达 |
| 刊名 | 云南天文台台刊
 |
| 出版日期 | 1999 |
| 期号 | 4页码:60-66 |
| 关键词 | CCD 量子效率 近红外 |
| ISSN号 | 1001-7526 |
| 产权排序 | 第一完成单位 |
| 中文摘要 | 理论上硅ＣＣＤ在０ ．１ｎｍ 到１．１μｍ 之间都有响应， 但通常此种器件在８００ｎｍ 以后量子效率下降明显， 一般会小于５０ ％ 。其中最主要的原因是近红外光子的吸收深度大于ＣＣＤ 的外延层厚度， 使大量光子穿透整个器件。显然增加外延层的厚度是解决这一问题的良好途径。但随着外延层的增加， 必须使用高阻抗的材料， 否则会明显的减低分辨率。另外增透膜的使用也会使量子效率大幅度提高， 而且有效的减弱了干涉条纹的影响。新型Ｐ沟道Ｎ 衬底全耗尽高阻ＣＣＤ的出现， 使得量子效率在１μｍ 仍然接近６０％ 。 |
| 学科主题 | 天文学 |
| 分类号 | P111.49 |
| 收录类别 | 其他 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.ynao.ac.cn/handle/114a53/2975]  |
| 专题 | 云南天文台_其他 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宋谦,季凯帆,曹文达. CCD的近红外敏化技术[J]. 云南天文台台刊,1999(4):60-66. |
| APA | 宋谦,季凯帆,&曹文达.(1999).CCD的近红外敏化技术.云南天文台台刊(4),60-66. |
| MLA | 宋谦,et al."CCD的近红外敏化技术".云南天文台台刊 .4(1999):60-66. |
入库方式： OAI收割
来源：云南天文台
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