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High performance Langmuir–Schaeffer film transistors based on air stable n-type diperylene bisimide

文献类型:期刊论文

作者Liu HY(刘会影); Wu YS(吴义室); Wang CH(王朝晖); Fu HB(付红兵)
刊名Organic Electronics
出版日期2013
卷号14期号:10页码:2610-2616
产权排序第一
通讯作者王朝晖 ; 付红兵
学科主题物理化学
公开日期2016-05-09
源URL[http://ir.iccas.ac.cn/handle/121111/28762]  
专题化学研究所_光化学实验室
作者单位中国科学院化学研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
Liu HY,Wu YS,Wang CH,et al. High performance Langmuir–Schaeffer film transistors based on air stable n-type diperylene bisimide[J]. Organic Electronics,2013,14(10):2610-2616.
APA 刘会影,吴义室,王朝晖,&付红兵.(2013).High performance Langmuir–Schaeffer film transistors based on air stable n-type diperylene bisimide.Organic Electronics,14(10),2610-2616.
MLA 刘会影,et al."High performance Langmuir–Schaeffer film transistors based on air stable n-type diperylene bisimide".Organic Electronics 14.10(2013):2610-2616.

入库方式: OAI收割

来源:化学研究所

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