High performance Langmuir–Schaeffer film transistors based on air stable n-type diperylene bisimide
文献类型:期刊论文
作者 | Liu HY(刘会影); Wu YS(吴义室); Wang CH(王朝晖); Fu HB(付红兵) |
刊名 | Organic Electronics
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出版日期 | 2013 |
卷号 | 14期号:10页码:2610-2616 |
产权排序 | 第一 |
通讯作者 | 王朝晖 ; 付红兵 |
学科主题 | 物理化学 |
公开日期 | 2016-05-09 |
源URL | [http://ir.iccas.ac.cn/handle/121111/28762] ![]() |
专题 | 化学研究所_光化学实验室 |
作者单位 | 中国科学院化学研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Liu HY,Wu YS,Wang CH,et al. High performance Langmuir–Schaeffer film transistors based on air stable n-type diperylene bisimide[J]. Organic Electronics,2013,14(10):2610-2616. |
APA | 刘会影,吴义室,王朝晖,&付红兵.(2013).High performance Langmuir–Schaeffer film transistors based on air stable n-type diperylene bisimide.Organic Electronics,14(10),2610-2616. |
MLA | 刘会影,et al."High performance Langmuir–Schaeffer film transistors based on air stable n-type diperylene bisimide".Organic Electronics 14.10(2013):2610-2616. |
入库方式: OAI收割
来源:化学研究所
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