一种片状三氧化钨光电极及其制备方法
文献类型：专利
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| 作者 | 李灿; 王楠; 施晶莹; 郑霄家 |
| 发表日期 | 2015-11-01 |
| 专利国别 | CN |
| 专利号 | CN201310691028.X |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 是否PCT专利 | 否 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种多孔WO3片状阵列薄膜的制备，首先利用直流反应磁控溅射方法，以Ar气为溅射气体，O2气为反应气体，采用双金属靶共溅射，其中一个靶为钨靶，另一种为铝、铜、锌中的一种，溅射得到非晶氧化物薄膜。将制备的非晶金属氧化物薄膜浸入强酸性溶液中进行选择性刻蚀，在基片上得到了片状的多孔结构，空气中450-550℃退火，形成单斜晶相WO3，形貌保存完好。该方法得到的多孔氧化钨电极的比表面积增加，吸光性能大幅度提高，材料与基底的结合力较好。本发明的优点在于：可以实现大规模生产，制备工艺简单，制备的WO3电极相比于未刻蚀的致密的WO3电极，饱和光电流提高3倍，亦可应用到染料敏化电池，电致变色器件等。 |
| 学科主题 | 物理化学 |
| 公开日期 | 2015-06-17 |
| 授权日期 | 2015-11-01 |
| 申请日期 | 2013-12-13 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN201310691028.X |
| 源URL | [http://cas-ir.dicp.ac.cn/handle/321008/144763]  |
| 专题 | 大连化学物理研究所_中国科学院大连化学物理研究所 |
| 作者单位 | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李灿,王楠,施晶莹,等. 一种片状三氧化钨光电极及其制备方法, 一种片状三氧化钨光电极及其制备方法, 一种片状三氧化钨光电极及其制备方法, 一种片状三氧化钨光电极及其制备方法. CN201310691028.X. 2015-11-01. |
入库方式： OAI收割
来源：大连化学物理研究所
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