一种在α-Al2O3陶瓷表面生长共价有机框架薄膜的方法
文献类型:专利
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作者 | 高艳安; 鲁辉; 冷文光; 郝丹丹; 张晋娜 |
发表日期 | 2015-11-01 |
专利国别 | CN |
专利号 | CN201310694053.3 |
专利类型 | 发明 |
权利人 | 中国科学院大连化学物理研究所 |
中文摘要 | 本发明公开了一种在α-Al2O3陶瓷表面生长共价有机框架薄膜的方法:先后以3-氨丙基三乙氧基硅烷和4-醛基苯硼酸对α-Al2O3陶瓷表面进行化学接枝改性,然后采用微波合成技术在其表面原位生长共价有机框架薄膜COF-5。本发明所述的制备方法简单易行、可设计性强、廉价易得、可选择基材范围广、适用于生长不同类型的共价有机框架薄膜。在气体分离纯化、化学反应催化、光电薄膜器件等领域有广泛的应用前景。 |
是否PCT专利 | 否 |
学科主题 | 物理化学 |
公开日期 | 2015-06-17 |
授权日期 | 2015-11-01 |
申请日期 | 2013-12-16 |
语种 | 中文 |
专利申请号 | CN201310694053.3 |
源URL | [http://cas-ir.dicp.ac.cn/handle/321008/144775] ![]() |
专题 | 大连化学物理研究所_中国科学院大连化学物理研究所 |
作者单位 | 中国科学院大连化学物理研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 高艳安,鲁辉,冷文光,等. 一种在α-Al2O3陶瓷表面生长共价有机框架薄膜的方法, 一种在α-Al2O3陶瓷表面生长共价有机框架薄膜的方法, 一种在α-Al2O3陶瓷表面生长共价有机框架薄膜的方法, 一种在α-Al2O3陶瓷表面生长共价有机框架薄膜的方法. CN201310694053.3. 2015-11-01. |
入库方式: OAI收割
来源:大连化学物理研究所
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