一种磁控溅射低温制备TiN薄膜的方法
文献类型：专利
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| 作者 | 李刚; 吕起鹏; 王锋; 公发全; 邓淞文; 孙龙; 金玉奇 |
| 发表日期 | 2015-11-01 |
| 专利国别 | CN |
| 专利号 | CN201310681582.X |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种反应磁控溅射低温制备TiN薄膜的方法，通过对传统磁控溅射技术的改进，在真空室内引入一等离子体区域，采用中频脉冲直流或直流溅射溅射Ti金属靶，并控制工作气体压强、温度、时间、溅射功率等工艺条件，在衬底上沉积TiN薄膜。使用本方法可以在低温环境下性能良好的TiN薄膜，薄膜的结晶度、致密性及硬度得到提高，表面粗糙度小，薄膜与衬底有较高的结合力，很难产生局部脱落。本发明可以为硬质薄膜的实验研究或工业生产提供样品。 |
| 是否PCT专利 | 否 |
| 学科主题 | 物理化学 |
| 公开日期 | 2015-06-17 |
| 授权日期 | 2015-11-01 |
| 申请日期 | 2013-12-11 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN201310681582.X |
| 源URL | [http://cas-ir.dicp.ac.cn/handle/321008/144877]  |
| 专题 | 大连化学物理研究所_中国科学院大连化学物理研究所 |
| 作者单位 | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李刚,吕起鹏,王锋,等. 一种磁控溅射低温制备TiN薄膜的方法, 一种磁控溅射低温制备TiN薄膜的方法, 一种磁控溅射低温制备TiN薄膜的方法, 一种磁控溅射低温制备TiN薄膜的方法. CN201310681582.X. 2015-11-01. |
入库方式： OAI收割
来源：大连化学物理研究所
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