一种用于飞行时间质谱的磁控溅射团簇离子源
文献类型：专利
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| 作者 | 唐紫超; 秦正波; 张世宇 |
| 发表日期 | 2015-11-01 |
| 专利号 | CN201310291516.1 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 中文摘要 | 一种用于飞行时间质谱的磁控溅射团簇离子源，该离子源包括腔体、氩进气管、氦进气管、金属靶材和喷口。金属靶材位于靠近飞行时间质谱的一侧，氩进气管和氦进气管在金属靶材的两端，腔体与飞行时间质谱相邻的一侧有1个凸向腔体的喷口。本发明将磁控溅射离子源与飞行时间质谱相结合，测试样品时，氩气经进气管进入腔体后被电离，电离的氩气离子快速的轰击金属靶材表面，产生金属等离子体，金属等离子体由氦气载带，由喷口喷出形成团簇离子，进入高分辨飞行时间质谱，最后探测器探测得到尺寸范围很宽的离子团簇飞行时间质谱图。本发明可适用于各种金属大尺寸团簇离子的成分分析。 |
| 是否PCT专利 | 否 |
| 学科主题 | 物理化学 |
| 公开日期 | 2015-01-14 |
| 授权日期 | 2015-11-01 |
| 申请日期 | 2013-07-11 |
| 专利申请号 | CN201310291516.1 |
| 源URL | [http://cas-ir.dicp.ac.cn/handle/321008/145212]  |
| 专题 | 大连化学物理研究所_中国科学院大连化学物理研究所 |
| 作者单位 | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 唐紫超,秦正波,张世宇. 一种用于飞行时间质谱的磁控溅射团簇离子源, 一种用于飞行时间质谱的磁控溅射团簇离子源, 一种用于飞行时间质谱的磁控溅射团簇离子源, 一种用于飞行时间质谱的磁控溅射团簇离子源. CN201310291516.1. 2015-11-01. |
入库方式： OAI收割
来源：大连化学物理研究所
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